项目名称：大尺寸SiC单晶及其功率器件
项目编号：豫新工业高[2013]00047
备案机关意见：准予备案
政策规定依据：政策规定依据：政策规定依据：1、项目不属于政府审批或核准的投资项目目录；2、该项目符合《2011年产业结构调整目录》中第一类（鼓励类）十二（建材）第8条“信息、新能源、国防、航空航天等领域用高品质人工晶体材料”和二十八（信息产业）第22条“半导体、光电子器件、新型电子元器件等电子产品用材料”和42条“半导体照明衬底、外延、芯片、封装及材料等”的规定，符合国家相关产业政策，没有市场准入壁垒。
复核机关意见：同意备案机关意见
政策规定依据：符合产业政策
复核日期：2013-7-12 16：53：37
建设地点：新乡经济技术开发区纬七路与经九路交叉口东南角
主要建设内容：本项目建设地占地85亩，其中一期新建车间建筑面积3000平方米，已审核备案。项目采用工艺技术如下：大尺寸SiC单晶生长，SiC衬底加工及检测，在衬底上进行厚外延层生长，进行SiC-IGBT器件设计 SiC-IGBT器件制备与封装，产品检验、入库，发货。
建设单位：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
电话：0373-7121606